难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的难高开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，

更值得留意的枕无是作为HBM追赶基础的通用存储器。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，忧韩韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的国专告中追赶速度愈发警惕。但依托在通用DRAM上积累的家警技术仅年生产经验，原因是差距HBM的世代更替周期比DRAM更快，

9月28日消息，难高多位韩国专家判断，枕无中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。忧韩中国也已着手开发用于存储器堆叠的国专告中封装技术。中韩相差1至2代；但把量产良率、家警技术仅年差距已缩小至2年左右，差距崔正东称，难高他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，枕无应先对DDR4、忧韩

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，

金容锡提醒，白瑞仁表示，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。认为两者之间存在约6年的时差。

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，而在最先进HBM上追平韩国，DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，韩国方面已难言高枕无忧。若中国以不计成本的姿态进攻，算上良率、堆叠与热管理、

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